高純氧化鎂的制備均以含鎂化合物為原料，部分制成輕燒氧化鎂后再經過電熔或重燒制得高純氧化鎂，部分直接煅燒或熱解制得高純氧化鎂。
菱鎂礦制備高純
氧化鎂
㈠菱鎂礦直接煅燒法
該法可分為二步煅燒和一步煅燒。二步煅燒選用菱鎂礦，首先在煅燒爐中進行煅燒，溫度控制在1273K左右，生成輕燒氧化鎂，再經過機械粉碎、球磨，在球磨的過程中可以消除假晶現象，并且同時盡可能降低氧化鎂的粒徑。
氧化鎂經過壓團之后控制溫度二次燒結，得到的產品。這種方法原料來源廣泛，工藝簡單，生產成本低。但是由于菱鎂礦中含有的雜質很難分離，一般氧化鎂的純度很難達到99%以上，但可以通過優選高純度的原料以及改進原料的除雜方法來提高產品的純度。將菱鎂石與石墨粉混合焙燒成輕燒氧化鎂，輕燒粉再與鎂合金混合均勻壓球，然后高溫燒結成高純氧化鎂。此工藝可以得到純度大于99.8%、體積密度高于3.50g/cm3的高純氧化鎂。
相比于二步煅燒，一步煅燒取消了輕燒活化步驟，直接燒成高純
氧化鎂。一種利用菱鎂礦精礦一步焙燒高純氧化鎂的生產工藝，包括混料壓球單元和高溫燒制單元。菱鎂礦精礦和黏結劑在混料機中充分混合后，進入壓球機壓制成高密度球團，之后球團在高溫豎窯中一步焙燒，可得到氧化鎂質量分數97.5%、體密度3.20g/cm3的氧化鎂。
㈡菱鎂礦銨浸法
煅燒低品位菱鎂礦得到的輕燒氧化鎂，再與NH4CL溶液反應，反應中產生的氨用純水吸收。反應后雜質會留在渣中，溶液和廢渣分離后，浸出液直接與回收NH3·H2O反應形成氫氧化鎂，氫氧化鎂經過兩步煅燒得到氧化鎂。該工藝中，NH4CL母液可循環使用。通過銨浸法可制得MgO含量達到99.97%、密度為3.41g/cm3的氧化鎂。該法的主要反應如反應式(1)~式(4)，此方法得到的氧化鎂純度高、性能好，但是工藝流程長，實際生產中操作難度大。
㈢菱鎂礦碳化法
將菱鎂礦等固體礦煅燒成粉末后消化，再通入CO?進行碳化，過濾后熱解為堿式碳酸鎂沉淀，再經脫水干燥生成輕質碳酸鎂，輕燒得輕質氧化鎂，將其壓坯死燒后即得高純氧化鎂。章柯寧等用碳化法制得了MgO質量分數為99.21%，體積密度為3.38g/cm的高純氧化鎂。碳化法具有選擇性強、不具腐蝕性、回收率高、原料來源廣、易回收等優點。但仍存在設備投資大、生產流程長等不足之處。主要的反應過程見式(5)～式(8)。
